R
X
G
l
 страница:
1 .. 19 2020 21 22 23 2424 25 .. 60  
r
navigation

первая страница

mn

кремниевые тиристоры

sc

диоды

di

транзисторы

it

интегральные схемы

ic

маркировка SMD

smd

поиск по параметрам

L
R

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8N101


силиконовый N-IGBT транзистор
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 8A
Ptot 100W
TON/TOFF 200/600nS
TJ -
GT8N101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 8A, применение: Мощные каскады
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация GT8N101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-3P
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑BUP302
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

BUP302


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to GT8N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP302 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Аналоги: BUP302
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑GN12015C, [еще]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP302


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to GT8N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP302 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Аналоги: BUP302
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑GN12015C, [еще]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP302


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to GT8N101, see note
UCE 1000V
UGE ±20V
IC 12A
Ptot 100W
fT -
TJ 150°C
BUP302 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1kV, Ic = 12A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Аналоги: BUP302
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов: ↑GN12015C, [еще]
GN12015C,GT15N101,GT15Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией
импрессум
информация предоставляется без гарантии
Защита данных